SM2363PSA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SM2363PSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SM2363PSA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SM2363PSA даташит
sm2363psa.pdf
SM2363PSA P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -60V/-1.8A, D RDS(ON)= 225m (max.) @ VGS=-10V RDS(ON)= 300m (max.) @ VGS=-4.5V S ESD Protection G 100% UIS+Rg Tested Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in DC/DC Converter. Load switch. S P-Channel MOSFET
sm2360nsa.pdf
SM2360NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/2.7A , D RDS(ON)=104m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=130m (max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-23-3 (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in DC/AC Inverer Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information SM2360NS Packa
gsm2367as.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=80m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.5A,RDS(ON)=98m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.2A,RDS(ON)=130m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell
gsm2367s.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367S, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=65m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=80m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.0A,RDS(ON)=105m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell d
Другие MOSFET... SM2319PSAN , SM2321PSA , SM2323PSA , SM2329PSA , SM2331PSA , SM2333PSA , SM2335PSA , SM2337PSA , 4435 , SM4303PSK , SM4303PSU , SM4303PSUC , SM4305PSK , SM4305PSKP , SM4307PSK , SM4307PSKP , SM4309PSK .
History: NTGS4111PT | IXFN170N10 | AO4604 | STD10LN80K5 | FTP540 | SI2301ADS-T1 | ST2302MSRG
History: NTGS4111PT | IXFN170N10 | AO4604 | STD10LN80K5 | FTP540 | SI2301ADS-T1 | ST2302MSRG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet




