SM2363PSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM2363PSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SM2363PSA
SM2363PSA Datasheet (PDF)
sm2363psa.pdf
SM2363PSAP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -60V/-1.8A,DRDS(ON)= 225m (max.) @ VGS=-10VRDS(ON)= 300m (max.) @ VGS=-4.5VS ESD ProtectionG 100% UIS+Rg TestedTop View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in DC/DC Converter. Load switch.SP-Channel MOSFET
sm2360nsa.pdf
SM2360NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/2.7A ,DRDS(ON)=104m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=130m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-3(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in DC/AC Inverer Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationSM2360NS Packa
gsm2367as.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.5A,RDS(ON)=98m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.2A,RDS(ON)=130m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell
gsm2367s.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367S, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=65m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=80m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell d
Другие MOSFET... SM2319PSAN , SM2321PSA , SM2323PSA , SM2329PSA , SM2331PSA , SM2333PSA , SM2335PSA , SM2337PSA , 4435 , SM4303PSK , SM4303PSU , SM4303PSUC , SM4305PSK , SM4305PSKP , SM4307PSK , SM4307PSKP , SM4309PSK .
History: SM3319NAQG | SM4303PSK | SM2323PSA
History: SM3319NAQG | SM4303PSK | SM2323PSA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet





