SM2363PSA - описание и поиск аналогов

 

SM2363PSA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM2363PSA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SM2363PSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2363PSA даташит

 ..1. Size:230K  sino
sm2363psa.pdfpdf_icon

SM2363PSA

SM2363PSA P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -60V/-1.8A, D RDS(ON)= 225m (max.) @ VGS=-10V RDS(ON)= 300m (max.) @ VGS=-4.5V S ESD Protection G 100% UIS+Rg Tested Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in DC/DC Converter. Load switch. S P-Channel MOSFET

 9.1. Size:261K  sino
sm2360nsa.pdfpdf_icon

SM2363PSA

SM2360NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/2.7A , D RDS(ON)=104m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=130m (max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-23-3 (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in DC/AC Inverer Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information SM2360NS Packa

 9.2. Size:842K  globaltech semi
gsm2367as.pdfpdf_icon

SM2363PSA

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=80m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.5A,RDS(ON)=98m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.2A,RDS(ON)=130m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell

 9.3. Size:850K  globaltech semi
gsm2367s.pdfpdf_icon

SM2363PSA

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367S, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=65m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=80m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.0A,RDS(ON)=105m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell d

Другие MOSFET... SM2319PSAN , SM2321PSA , SM2323PSA , SM2329PSA , SM2331PSA , SM2333PSA , SM2335PSA , SM2337PSA , 4435 , SM4303PSK , SM4303PSU , SM4303PSUC , SM4305PSK , SM4305PSKP , SM4307PSK , SM4307PSKP , SM4309PSK .

History: NTGS4111PT | IXFN170N10 | AO4604 | STD10LN80K5 | FTP540 | SI2301ADS-T1 | ST2302MSRG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.