Справочник MOSFET. SM3331PSQG

 

SM3331PSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM3331PSQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 593 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3B-8
 

 Аналог (замена) для SM3331PSQG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3331PSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  sino
sm3331psqg.pdfpdf_icon

SM3331PSQG

SM3331PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,DDDDRDS(ON) = 6.1m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 11m(max.) @ VGS =-4.5VG HBM ESD protection level pass 8KV SSS 100% UIS + Rg TestedDFN3.3x3.3-8(Saw-EP) Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )DDDD (RoHS Compliant)Note : The diode connected bet

 9.1. Size:251K  sino
sm3335psqa.pdfpdf_icon

SM3331PSQG

SM3335PSQA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-39A,DDDDRDS(ON) = 14m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-4.5VGS 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 3KVNote : The diode connected between the gate andsou

 9.2. Size:166K  sino
sm3337psqa.pdfpdf_icon

SM3331PSQG

SM3337PSQA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-32A,DDDDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 32m(max.) @ VGS =-4.5VGS 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 2KVNote : The diode connected between the gate and

 9.3. Size:160K  sino
sm3335psqg.pdfpdf_icon

SM3331PSQG

SM3335PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-39A,DDDDRDS(ON) = 14m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 24m(max.) @ VGS =-4.5VSG 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3D-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 3KVNote : The diode connected between the gate ands

Другие MOSFET... SM4309PSK , SM4309PSKP , SM3020PSU , SM3095PSD , SM3201PSQA , SM3202PSQA , SM3303PSQG , SM3313PSQG , IRF1407 , SM2403PSAN , SM2413PSAN , SM2421PSAN , SM2425PSAN , SM2601PSC , SM2605PSC , SM2609PSC , SM3337PSQA .

History: SI1555DL | HGP115N15S | HGB195N15S | 2SK298 | AP9563GM | AP20N15AGH | APT51F50J

 

 
Back to Top

 


 
.