Справочник MOSFET. SM3337PSQG

 

SM3337PSQG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM3337PSQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3D-8

 Аналог (замена) для SM3337PSQG

 

 

SM3337PSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  sino
 sm3337psqg.pdf

SM3337PSQG SM3337PSQG

SM3337PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-32A,DDDDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 32m(max.) @ VGS =-4.5V Reliable and RuggedSGSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN3x3D-8_EP (RoHS Compliant) 100% UIS + Rg Tested( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 2KVNote : The diode connected between the gate ands

 5.1. Size:166K  sino
 sm3337psqa.pdf

SM3337PSQG SM3337PSQG

SM3337PSQA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-32A,DDDDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 32m(max.) @ VGS =-4.5VGS 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 2KVNote : The diode connected between the gate and

 9.1. Size:251K  sino
 sm3335psqa.pdf

SM3337PSQG SM3337PSQG

SM3335PSQA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-39A,DDDDRDS(ON) = 14m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-4.5VGS 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 3KVNote : The diode connected between the gate andsou

 9.2. Size:163K  sino
 sm3331psqg.pdf

SM3337PSQG SM3337PSQG

SM3331PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,DDDDRDS(ON) = 6.1m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 11m(max.) @ VGS =-4.5VG HBM ESD protection level pass 8KV SSS 100% UIS + Rg TestedDFN3.3x3.3-8(Saw-EP) Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )DDDD (RoHS Compliant)Note : The diode connected bet

 9.3. Size:160K  sino
 sm3335psqg.pdf

SM3337PSQG SM3337PSQG

SM3335PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-39A,DDDDRDS(ON) = 14m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 24m(max.) @ VGS =-4.5VSG 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3D-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 3KVNote : The diode connected between the gate ands

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top