SM3335PSQA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM3335PSQA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3A-8
Аналог (замена) для SM3335PSQA
SM3335PSQA Datasheet (PDF)
sm3335psqa.pdf
SM3335PSQA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-39A,DDDDRDS(ON) = 14m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-4.5VGS 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 3KVNote : The diode connected between the gate andsou
sm3335psqg.pdf
SM3335PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-39A,DDDDRDS(ON) = 14m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 24m(max.) @ VGS =-4.5VSG 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3D-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 3KVNote : The diode connected between the gate ands
sm3331psqg.pdf
SM3331PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-40A,DDDDRDS(ON) = 6.1m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 11m(max.) @ VGS =-4.5VG HBM ESD protection level pass 8KV SSS 100% UIS + Rg TestedDFN3.3x3.3-8(Saw-EP) Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )DDDD (RoHS Compliant)Note : The diode connected bet
sm3337psqa.pdf
SM3337PSQA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-32A,DDDDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 32m(max.) @ VGS =-4.5VGS 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN3x3A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 2KVNote : The diode connected between the gate and
sm3337psqg.pdf
SM3337PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-32A,DDDDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 32m(max.) @ VGS =-4.5V Reliable and RuggedSGSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN3x3D-8_EP (RoHS Compliant) 100% UIS + Rg Tested( 5,6,7,8 )DDDD ESD protection pass 2KVNote : The diode connected between the gate ands
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918