APM2701AC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM2701AC
Маркировка: A71*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3(2) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065(0.12) Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
APM2701AC Datasheet (PDF)
apm2701ac.pdf
APM2701AC Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/3A,D2S1 RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=4.5VD1G2RDS(ON)=65m(typ.) @ VGS=2.5VS2G1 P-Channel-20V/-2A,Top View of SOT-23-6RDS(ON)=90m(typ.) @ VGS=-4.5V(4)D2RDS(ON)=130m(typ.) @ VGS=-2.5V (6)D1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(
apm2701ac.pdf
APM2701ACwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at
apm2701acc-trg.pdf
APM2701ACC-TRGwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.08
apm2701cg.pdf
SMD Type MOSFETSMD Type TrMOSFETSMDTypeSMDTypeSMDType rSMDType ICSMD Type ICSMD Type oICSMD Type ansistICsProduct specificationKDS3601Features1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m @VGS =10 VRDS(ON) = 530m @VGS =6VLow gate charge (3.7 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbs
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918