Справочник MOSFET. APM2701AC

 

APM2701AC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM2701AC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3(2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065(0.12) Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для APM2701AC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2701AC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  sino
apm2701ac.pdfpdf_icon

APM2701AC

APM2701AC Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/3A,D2S1 RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=4.5VD1G2RDS(ON)=65m(typ.) @ VGS=2.5VS2G1 P-Channel-20V/-2A,Top View of SOT-23-6RDS(ON)=90m(typ.) @ VGS=-4.5V(4)D2RDS(ON)=130m(typ.) @ VGS=-2.5V (6)D1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(

 ..2. Size:2463K  cn vbsemi
apm2701ac.pdfpdf_icon

APM2701AC

APM2701ACwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at

 0.1. Size:925K  cn vbsemi
apm2701acc-trg.pdfpdf_icon

APM2701AC

APM2701ACC-TRGwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.08

 7.1. Size:224K  tysemi
apm2701cg.pdfpdf_icon

APM2701AC

SMD Type MOSFETSMD Type TrMOSFETSMDTypeSMDTypeSMDType rSMDType ICSMD Type ICSMD Type oICSMD Type ansistICsProduct specificationKDS3601Features1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m @VGS =10 VRDS(ON) = 530m @VGS =6VLow gate charge (3.7 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbs

Другие MOSFET... SM2691PSC , SM3335PSQA , SM3335PSQG , SM3040CSU4 , SM6042CSU4 , SM1A40CSK , SM2001CSK , APM4500AK , MMIS60R580P , APM4568AK , APM9938K , SM1620CSCS , SM1A40CSQ , SM1A42CSK , SM2221CSQG , SM2222CSQG , SM2607CSC .

History: IRF421 | HM4487A | IXFL34N100

 

 
Back to Top

 


 
.