IRF7809 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF7809 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SO8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRF7809
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7809 даташит
irf7809 irf7811.pdf
PD - 93812 PD - 93813 IRF7809/IRF7811 IRF7809/IRF7811 Provisional Datasheet N-Channel Application-Specific MOSFETs HEXFET Chipset for DC-DC Converters Ideal for CPU Core DC-DC Converters New CopperStrapTM Interconnect for Lower A A Electrical and Thermal Resistance 1 8 S D Low Conduction Losses 2 7 Low Switching Losses S D Minimizes Parallel MOSFETs fo
irf7809avpbf.pdf
PD - 95212A IRF7809AVPbF N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses A A Minimizes Parallel MOSFETs for high current 1 8 S D applications 2 7 100% Tested for Rg S D Lead-Free 3 6 S D Description 4 5 G D This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achi
irf7809av.pdf
PD-90010 IRF7809AV N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses A Low Switching Losses A 1 8 S D Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications 2 7 S D 3 6 Description S D This new device employs advanced HEXFET Power 4 5 G D MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistan
irf7809a.pdf
PD - 93810 PD - 93811 IRF7809A/IRF7811A IRF7809A/IRF7811A PROVISIONAL DATASHEET N-Channel Application-Specific MOSFETs HEXFET Chipset for DC-DC Converters Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses A Low Switching Losses A 1 8 S D Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications 2 7 S D 3 6 Description S D These new devices emplo
Другие IGBT... IRF7555, IRF7601, IRF7603, IRF7604, IRF7606, IRF7663, IRF7805, IRF7807, 12N60, IRF7811, IRF820, IRF820A, IRF820AL, IRF820AS, IRF820FI, IRF820S, IRF821
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW
Popular searches
bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor




