Справочник MOSFET. SM8404CSQ

 

SM8404CSQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM8404CSQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40(105) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0345(0.039) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3C-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM8404CSQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  sino
sm8404csq.pdfpdf_icon

SM8404CSQ

SM8404CSQDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel30V/5.2A,D2D1D2D1RDS(ON) = 34.5m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 60m (max.) @ VGS = 4.5V G2S2S1G1 P Channel Top View of DFN3x3C-8-30V/-5.2A,RDS(ON) = 39m (max.) @ VGS =-10V(8) (7) (6) (5)RDS(ON) = 61m (max.) @ VGS =-4.5VD1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

 0.1. Size:294K  sino
sm8404csqa.pdfpdf_icon

SM8404CSQ

SM8404CSQADual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel Top View Bottom View30V/11A,D2D1D2RDS(ON) = 34.5m (max.) @ VGS = 10VD1RDS(ON) = 60m (max.) @ VGS = 4.5VG2Pin 1S2 P ChannelS1G1-30V/-13.3A,DFN3x3B-8_EP2RDS(ON) = 39m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 61m (max.) @ VGS =-4.5V(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg T

 9.1. Size:320K  sino
sm8401csq.pdfpdf_icon

SM8404CSQ

SM8401CSQDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel (Integrated Schottky Diode)D230V/6.9A,D1D2D1RDS(ON) = 29m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 42m (max.) @ VGS = 4.5VG2S2S1G1RDS(ON) = 50m (max.) @ VGS = 4V P Channel Top View of DFN3x3C-8-30V/-5.9A,RDS(ON) = 40m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 60m (max.) @ VGS =-4.5V(8) (7) (

 9.2. Size:273K  sino
sm8403csq.pdfpdf_icon

SM8404CSQ

SM8403CSQDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel30V/5.6A,D2D1D2RDS(ON) = 29m (max.) @ VGS = 10V D1RDS(ON) = 39m (max.) @ VGS = 4.5VG2S2 P ChannelS1G1-30V/-4.2A, Top View of DFN3x3C-8RDS(ON) = 63m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 100m (max.) @ VGS =-4.5V(8) (7) (6) (5) 100% UIS + Rg TestedD1 D1 D2 D2 ESD Protection

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 4N65KL-T2Q-R | SQ2361ES | TMD7N65H | PK5V8EN | TK3A60DA | UT60T03

 

 
Back to Top

 


 
.