Справочник MOSFET. SM4603CSK

 

SM4603CSK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4603CSK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7(8.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(150) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021(0.024) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SM4603CSK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4603CSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  sino
sm4603csk.pdfpdf_icon

SM4603CSK

SM4603CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8.7A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-8.2A,Top View of SOP 8RDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS Tested Reliable and Rugged

 9.1. Size:277K  sino
sm4601csk.pdfpdf_icon

SM4603CSK

SM4601CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-5A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 53m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 83m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged

 9.2. Size:278K  sino
sm4600csk.pdfpdf_icon

SM4603CSK

SM4600CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8.8A,RDS(ON) = 17m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 23m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-8.2A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 20m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 33m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

 9.3. Size:361K  huashuo
hsm4606.pdfpdf_icon

SM4603CSK

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement

Другие MOSFET... SM4066CSK , SM4066CSU4 , SM4600CSK , SM4601CSK , SM8401CSQ , SM8403CSQ , SM8404CSQ , SM8404CSQA , IRF740 , SM4901CSK , SM6041CSK , SM6043CSQ , SM7308CSKP , RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L .

History: VS3640DE | SSF2316E | FIR20N60FG

 

 
Back to Top

 


 
.