Справочник MOSFET. SM4603CSK

 

SM4603CSK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4603CSK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7(8.2) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(150) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021(0.024) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4603CSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  sino
 sm4603csk.pdf pdf_icon

SM4603CSK

SM4603CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8.7A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-8.2A,Top View of SOP 8RDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS Tested Reliable and Rugged

 9.1. Size:277K  sino
 sm4601csk.pdf pdf_icon

SM4603CSK

SM4601CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-5A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 53m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 83m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged

 9.2. Size:278K  sino
 sm4600csk.pdf pdf_icon

SM4603CSK

SM4600CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8.8A,RDS(ON) = 17m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 23m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-8.2A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 20m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 33m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

 9.3. Size:361K  huashuo
 hsm4606.pdf pdf_icon

SM4603CSK

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP6N2R0P | CEP4060AL | NCEP014NH60GU | 2N4338 | SI1402DH | MTDN8233CDV8 | IXTP3N60P

 

 
Back to Top

 


 
.