RFL1N18L - описание и поиск аналогов

 

RFL1N18L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFL1N18L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL1N18L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFL1N18L даташит

 ..1. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFL1N18L

 7.1. Size:90K  njs
 rfl1n18 rfl1n20.pdf pdf_icon

RFL1N18L

 8.1. Size:87K  njs
 rfl1n08 rfl1n10.pdf pdf_icon

RFL1N18L

 8.2. Size:33K  intersil
 rfl1n10l.pdf pdf_icon

RFL1N18L

RFL1N10L 1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel September 1998 Power MOSFET Features Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200 level (5V) driving sources in applications such as program- mable controllers, automotive switching, and solenoid driv- ers. Thi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SM4603CSK , SM4901CSK , SM6041CSK , SM6043CSQ , SM7308CSKP , RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 , IRF640 , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 .

History: NTR4101P | 2SK2957L | HY3810PM | 30N03A | SI1028X | STC5NF20V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.