Справочник MOSFET. RFL1N18L

 

RFL1N18L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFL1N18L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO205AF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFL1N18L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFL1N18L

 7.1. Size:90K  njs
 rfl1n18 rfl1n20.pdf pdf_icon

RFL1N18L

 8.1. Size:87K  njs
 rfl1n08 rfl1n10.pdf pdf_icon

RFL1N18L

 8.2. Size:33K  intersil
 rfl1n10l.pdf pdf_icon

RFL1N18L

RFL1N10L1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-ChannelSeptember 1998 Power MOSFETFeatures Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate powerfield effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200level (5V) driving sources in applications such as program-mable controllers, automotive switching, and solenoid driv-ers. Thi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.