Справочник MOSFET. RFL1N20

 

RFL1N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFL1N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO205AF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFL1N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  njs
 rfl1n18 rfl1n20.pdf pdf_icon

RFL1N20

 0.1. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFL1N20

 9.1. Size:87K  njs
 rfl1n08 rfl1n10.pdf pdf_icon

RFL1N20

 9.2. Size:33K  intersil
 rfl1n10l.pdf pdf_icon

RFL1N20

RFL1N10L1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-ChannelSeptember 1998 Power MOSFETFeatures Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate powerfield effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200level (5V) driving sources in applications such as program-mable controllers, automotive switching, and solenoid driv-ers. Thi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SIHFRC20 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | HUFA75639P3 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.