Справочник MOSFET. RFL1N20

 

RFL1N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFL1N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO205AF
 

 Аналог (замена) для RFL1N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFL1N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  njs
 rfl1n18 rfl1n20.pdf pdf_icon

RFL1N20

 0.1. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFL1N20

 9.1. Size:87K  njs
 rfl1n08 rfl1n10.pdf pdf_icon

RFL1N20

 9.2. Size:33K  intersil
 rfl1n10l.pdf pdf_icon

RFL1N20

RFL1N10L1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-ChannelSeptember 1998 Power MOSFETFeatures Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate powerfield effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200level (5V) driving sources in applications such as program-mable controllers, automotive switching, and solenoid driv-ers. Thi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SM4901CSK , SM6041CSK , SM6043CSQ , SM7308CSKP , RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , IRF1404 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L .

 

 
Back to Top

 


 
.