Справочник MOSFET. 2SK1202

 

2SK1202 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1202
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO3PI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1202 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  inchange semiconductor
 2sk1202.pdf pdf_icon

2SK1202

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1202 DESCRIPTION Drain Current ID= 5A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V

 8.1. Size:44K  no
 2sk1204.pdf pdf_icon

2SK1202

 8.2. Size:89K  no
 2sk1225 2sk1206.pdf pdf_icon

2SK1202

 8.3. Size:146K  no
 2sk1205.pdf pdf_icon

2SK1202

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD50N04S4-10 | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | AP60T03GP | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.