Справочник MOSFET. 2SK1202

 

2SK1202 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1202
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO3PI
 

 Аналог (замена) для 2SK1202

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1202 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  inchange semiconductor
 2sk1202.pdf pdf_icon

2SK1202

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1202 DESCRIPTION Drain Current ID= 5A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V

 8.1. Size:44K  no
 2sk1204.pdf pdf_icon

2SK1202

 8.2. Size:89K  no
 2sk1225 2sk1206.pdf pdf_icon

2SK1202

 8.3. Size:146K  no
 2sk1205.pdf pdf_icon

2SK1202

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 , 7N65 , IPD06N03LA , IPU06N03LA , IPS06N03LA , IPF06N03LA , IXFT50N50P3 , IXFQ50N50P3 , IXFH50N50P3 , APM2510NU .

History: NTD6415ANL | G66 | NTE4151P | FDA24N40F | NTF2955 | FRE260H

 

 
Back to Top

 


 
.