Справочник MOSFET. IPS06N03LA

 

IPS06N03LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS06N03LA
   Маркировка: 06N03LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPS06N03LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS06N03LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  infineon
 ipd06n03la ipf06n03la ips06n03la ipu06n03la.pdf pdf_icon

IPS06N03LA

IPD06N03LA IPF06N03LAIPS06N03LA IPU06N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 5.7mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C

 9.1. Size:523K  infineon
 ipd060n03lg ipf060n03lg ips060n03lg ipu060n03lg.pdf pdf_icon

IPS06N03LA

Type IPD060N03L G IPF060N03L GIPS060N03L G IPU060N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 6mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very lo

 9.2. Size:1017K  infineon
 ips060n03l.pdf pdf_icon

IPS06N03LA

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 9.3. Size:634K  infineon
 ipd060n03l ipf060n03l ips060n03l ipu060n03l.pdf pdf_icon

IPS06N03LA

Type IPD060N03L G IPF060N03L GIPS060N03L G IPU060N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 6mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 , 2SK1202 , IPD06N03LA , IPU06N03LA , IRFP260 , IPF06N03LA , IXFT50N50P3 , IXFQ50N50P3 , IXFH50N50P3 , APM2510NU , IRF7832Z , 2SK2222 , MDF11N65B .

History: BUP70 | BUK9606-30

 

 
Back to Top

 


 
.