Справочник MOSFET. CEP51A3

 

CEP51A3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP51A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP51A3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP51A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  cet
 cep51a3 ceb51a3.pdf pdf_icon

CEP51A3

CEP51A3/CEB51A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 48A, RDS(ON) =16.5m @VGS = 10V.RDS(ON) =28m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Другие MOSFET... MMIS60R580P , 2SK3435 , 2SK3435-S , 2SK3435-Z , AM4410N , APM2014N , B3942 , CEB51A3 , IRF530 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F .

 

 
Back to Top

 


 
.