CEP51A3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEP51A3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEP51A3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP51A3 даташит

 ..1. Size:83K  cet
 cep51a3 ceb51a3.pdf pdf_icon

CEP51A3

CEP51A3/CEB51A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 48A, RDS(ON) =16.5m @VGS = 10V. RDS(ON) =28m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Другие IGBT... MMIS60R580P, 2SK3435, 2SK3435-S, 2SK3435-Z, AM4410N, APM2014N, B3942, CEB51A3, IRFB3607, CS4145, FDD6035AL, FHP740, FTP08N06A, GPT13N50, GPT13N50D, JCS4N65C, JCS4N65F