GPT13N50D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GPT13N50D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для GPT13N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT13N50D даташит

 ..1. Size:1204K  champion
 gpt13n50 gpt13n50d.pdf pdf_icon

GPT13N50D

GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 6. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage Drain-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220 TO-220F 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT13N50 / G

Другие IGBT... B3942, CEB51A3, CEP51A3, CS4145, FDD6035AL, FHP740, FTP08N06A, GPT13N50, AO4407A, JCS4N65C, JCS4N65F, JCS4N65R, JCS4N65V, LSK389, MDV1528, ME60N03, ME60N03A