Справочник MOSFET. GPT13N50D

 

GPT13N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GPT13N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для GPT13N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT13N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1204K  champion
 gpt13n50 gpt13n50d.pdf pdf_icon

GPT13N50D

GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 6. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage Drain-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220 TO-220F 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT13N50 / G

Другие MOSFET... B3942 , CEB51A3 , CEP51A3 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , IRFP250 , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A .

History: JCS4N65C

 

 
Back to Top

 


 
.