ME60N03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ME60N03A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ME60N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME60N03A даташит

 ..1. Size:649K  matsuki electric
 me60n03a.pdf pdf_icon

ME60N03A

ME60N03A 25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=25V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A = 8.5m RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@30A =13m FEATURES Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Specially designed for DC/DC converters and motor drivers Fully characterized avalanche voltage and current PIN CONFIGURATION (TO-252) Top View Absolute

 0.1. Size:1039K  matsuki electric
 me60n03as me60n03as-g.pdf pdf_icon

ME60N03A

ME60N03AS/ME60N03AS-G 25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=25V APPLICATIONS Motherboard (V-Core) RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A 9m DC/DC Converter RDS(ON), Vgs@ 5V,Ids@15A 18m Load Switch LCD Display inverter FEATURES IPC Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Specially designed for DC/DC co

 7.1. Size:677K  matsuki electric
 me60n03.pdf pdf_icon

ME60N03A

ME60N03 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS=30V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A = 8.5m RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@20A =13m FEATURES Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Specially designed for DC/DC converters and motor drivers Fully characterized avalanche voltage and current PIN CONFIGURATION (TO-252) Top View Absolute M

 7.2. Size:1102K  matsuki electric
 me60n03 me60n03-g.pdf pdf_icon

ME60N03A

ME60N03/ME60N03-G 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET -g GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 8.5m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density DMOS RDS(ON) 13m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GPT13N50D, JCS4N65C, JCS4N65F, JCS4N65R, JCS4N65V, LSK389, MDV1528, ME60N03, 10N65, NE5520279A, NTE458, PHB55N03LTA, PHD55N03LTA, PHP55N03LTA, QM3006D, SI4340DY, SPB80N08S2L