UTC50N06L - описание и поиск аналогов

 

UTC50N06L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTC50N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для UTC50N06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTC50N06L даташит

 ..1. Size:145K  utc
 utc50n06l.pdf pdf_icon

UTC50N06L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 50N06 MOSFET 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220 The UTC 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. 1 It is mainly suitable electronic ballast, and low po

Другие MOSFET... PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , 2N60 , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T .

History: MGSF1N02LT1G | SM3303PSQG | STN4260 | SM2416NSAN | SM1A27PSUB | MMD50R380P | SM2307PSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.