UTC50N06L - аналоги и даташиты транзистора

 

UTC50N06L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UTC50N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для UTC50N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTC50N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  utc
 utc50n06l.pdf pdf_icon

UTC50N06L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 50N06 MOSFET 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220The UTC 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. 1It is mainly suitable electronic ballast, and low po

Другие MOSFET... PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , IRF830 , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T .

History: FDB8444

 

 
Back to Top

 


 
.