Справочник MOSFET. FMV23N50E

 

FMV23N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMV23N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.245 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FMV23N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV23N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  fuji
 fmv23n50e.pdf pdf_icon

FMV23N50E

FMV23N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

 0.1. Size:490K  fuji
 fmv23n50es.pdf pdf_icon

FMV23N50E

FMV23N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.2

Другие MOSFET... SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , IRF520 , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 .

History: RU75150R | RU70190R | SP8076E

 

 
Back to Top

 


 
.