Справочник MOSFET. FQP630

 

FQP630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqp630.pdf pdf_icon

FQP630

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been espec

 0.1. Size:733K  fairchild semi
 fqp630tstu.pdf pdf_icon

FQP630

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been espec

Другие MOSFET... STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , IRF730 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S .

History: HFF2N60 | STM8306 | AP15N03GH-HF | PHB9N60E | IRFI9Z34N | FDMS7660

 

 
Back to Top

 


 
.