FQP630 - описание и поиск аналогов

 

FQP630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FQP630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP630 даташит

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqp630.pdf pdf_icon

FQP630

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been espec

 0.1. Size:733K  fairchild semi
 fqp630tstu.pdf pdf_icon

FQP630

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been espec

Другие MOSFET... STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , IRFB31N20D , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S .

History: 2SK3298

 

 

 

 

↑ Back to Top
.