SVF2N60T - аналоги и даташиты транзистора

 

SVF2N60T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVF2N60T
   Маркировка: SVF2N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.67 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60T

SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 2A600V N SVF2N60M/MJ/N/F/T/D NMOSF-CellTMVDMOS

 ..2. Size:519K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60nf svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60T

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 13TO-252-2Lpower MOS field effect transistor which is produced using Silan 1proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 31process and cell structure have been especially tailored to minimize 231.Gate 2.Dra

 ..3. Size:624K  silan
 svf2n60m svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60T

SVF2N60M/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior s

 7.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60T

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , MMIS60R580P , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 .

History: SPN4436S8R | ES6U2

 

 
Back to Top

 


 
.