2SK642 - аналоги и даташиты транзистора

 

2SK642 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SK642
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK642

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK642 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  hitachi
 2sk641 2sk642.pdf pdf_icon

2SK642

 ..2. Size:237K  inchange semiconductor
 2sk642.pdf pdf_icon

2SK642

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK642DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSlow onresistanceHigh speed switchingLow drive currentNo secondary breakdownSuitable f

 9.1. Size:38K  hitachi
 2sk646.pdf pdf_icon

2SK642

 9.2. Size:230K  inchange semiconductor
 2sk643.pdf pdf_icon

2SK642

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , IRF830 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.