2SK642 - описание и поиск аналогов

 

2SK642. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK642

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK642

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK642 даташит

 ..1. Size:49K  hitachi
2sk641 2sk642.pdfpdf_icon

2SK642

 ..2. Size:237K  inchange semiconductor
2sk642.pdfpdf_icon

2SK642

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK642 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS low on resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable f

 9.1. Size:38K  hitachi
2sk646.pdfpdf_icon

2SK642

 9.2. Size:230K  inchange semiconductor
2sk643.pdfpdf_icon

2SK642

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK643 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies

Другие MOSFET... FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , IRF830 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.