Справочник MOSFET. HFF5N60

 

HFF5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFF5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFF5N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFF5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  shantou-huashan
 hff5n60.pdf pdf_icon

HFF5N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF5N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220FThey are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performanc

Другие MOSFET... SVF2N60F , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , EMB04N03H , HFF630 , HFF640 , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.