HFP7N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFP7N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFP7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HFP7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  shantou-huashan
 hfp7n60.pdf pdf_icon

HFP7N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFP7N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220 They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

 9.1. Size:514K  shantou-huashan
 hfp7n80.pdf pdf_icon

HFP7N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co., Ltd. HFP7N80 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-220 They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

Другие MOSFET... HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , P55NF06 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V .

History: 2SK4019 | TK4P55D | TMD4N60 | NDT2N60P | WMB60P02TS | STK830D | NTMFS4821N

 

 
Back to Top

 


 
.