Справочник MOSFET. IRF830

 

IRF830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  international rectifier
irf830pbf.pdfpdf_icon

IRF830

PD - 94881IRF830PbF Lead-Free12/10/03Document Number: 91063 www.vishay.com1IRF830PbFDocument Number: 91063 www.vishay.com2IRF830PbFDocument Number: 91063 www.vishay.com3IRF830PbFDocument Number: 91063 www.vishay.com4IRF830PbFDocument Number: 91063 www.vishay.com5IRF830PbFDocument Number: 91063 www.vishay.com6IRF830PbFTO-220AB Package Outline

 ..2. Size:58K  philips
irf830 1.pdfpdf_icon

IRF830

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor IRF830 Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V High thermal cycling performance Low thermal resistance ID = 5.9 AgRDS(ON) 1.5 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT78 (TO220AB)N-channel, enhancement mode PIN DESCRIPTI

 ..3. Size:92K  st
irf830.pdfpdf_icon

IRF830

IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35 - 4.5A - TO-220PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF830 500 V

 ..4. Size:481K  st
irf830 irf831 irf832 irf833-fi.pdfpdf_icon

IRF830

Другие MOSFET... IRF820AL , IRF820AS , IRF820FI , IRF820S , IRF821 , IRF822 , IRF822FI , IRF823 , STF13NM60N , IRF830A , IRF830AL , IRF830AS , IRF830FI , IRF830S , IRF831 , IRF831FI , IRF832 .

History: IRF640S | IRFP044

 

 
Back to Top

 


 
.