SD2932 - описание и поиск аналогов

 

SD2932. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD2932

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 125 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: M244

Аналог (замена) для SD2932

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SD2932 даташит

 ..1. Size:1415K  st
sd2932.pdfpdf_icon

SD2932

SD2932 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET Datasheet - production data Features Gold metallization Excellent thermal stability Common source push-pull configuration P = 300 W min. with 15 dB gain @ 175 OUT MHz Description The SD2932 is a gold metallized N-channel MOS Figure 1 Pin connection field-effect RF power transistor used for 50 V DC large sign

 9.1. Size:197K  st
sd2931.pdfpdf_icon

SD2932

SD2931 RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs GOLD METALLIZATION EXCELLENT THERMAL STABILITY COMMON SOURCE CONFIGURATION POUT = 150 W MIN. WITH 14 dB GAIN @ 175 MHz M174 epoxy sealed DESCRIPTION The SD2931 is a gold metallized N-Channel MOS PIN CONNECTION field-effect RF power transistor. It is intended for use in 50 V dc large signal applications up t

 9.2. Size:346K  st
sd2931-10.pdfpdf_icon

SD2932

SD2931-10 RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs Features Gold metallization Excellent thermal stability Common source configuration POUT = 150 W min. with 14 dB gain @ 175 MHz Thermally enhanced packaging for lower junction temperatures Description M174 Epoxy sealed The SD2931-10 is a gold metallized N-channel MOS field-effect RF power transisto

 9.3. Size:514K  st
sd2933.pdfpdf_icon

SD2932

SD2933 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs Datasheet - production data Features Gold metalization Excellent thermal stability Common source configuration POUT = 300 W min. with 20 dB gain @ 30 MHz Thermally enhanced packaging for lower junction temperatures M177 Epoxy sealed Description The SD2933 is a gold metalized N-channel MOS field-effect RF power trans

Другие MOSFET... HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , IRF9540N , STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G .

History: WMN25N70EM | 2SK3919-ZK | 3N70G-TN3-T | 2SK1380 | KI30P03DFN | CS40N20FA9E | ELM33401CA-S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.