Справочник MOSFET. SD2932

 

SD2932 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SD2932
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: M244

 Аналог (замена) для SD2932

 

 

SD2932 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1415K  st
 sd2932.pdf

SD2932 SD2932

SD2932 HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET Datasheet - production data Features Gold metallization Excellent thermal stability Common source push-pull configuration P = 300 W min. with 15 dB gain @ 175 OUTMHz Description The SD2932 is a gold metallized N-channel MOS Figure 1: Pin connection field-effect RF power transistor used for 50 V DC large sign

 9.1. Size:197K  st
 sd2931.pdf

SD2932 SD2932

SD2931RF POWER TRANSISTORSHF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs GOLD METALLIZATION EXCELLENT THERMAL STABILITY COMMON SOURCE CONFIGURATION POUT = 150 W MIN. WITH 14 dB GAIN @ 175 MHz M174epoxy sealedDESCRIPTIONThe SD2931 is a gold metallized N-Channel MOSPIN CONNECTIONfield-effect RF power transistor. It is intended foruse in 50 V dc large signal applications up t

 9.2. Size:346K  st
 sd2931-10.pdf

SD2932 SD2932

SD2931-10RF power transistorsHF/VHF/UHF N-channel MOSFETsFeatures Gold metallization Excellent thermal stability Common source configuration POUT = 150 W min. with 14 dB gain @ 175 MHz Thermally enhanced packaging for lower junction temperaturesDescriptionM174Epoxy sealedThe SD2931-10 is a gold metallized N-channel MOS field-effect RF power transisto

 9.3. Size:514K  st
 sd2933.pdf

SD2932 SD2932

SD2933HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETsDatasheet - production dataFeatures Gold metalization Excellent thermal stability Common source configuration POUT = 300 W min. with 20 dB gain @ 30 MHz Thermally enhanced packaging for lower junction temperaturesM177 Epoxy sealedDescriptionThe SD2933 is a gold metalized N-channel MOS field-effect RF power trans

 9.4. Size:85K  njs
 sd2933.pdf

SD2932 SD2932

Другие MOSFET... HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , IRFP260 , STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G .

 

 
Back to Top