AO4474. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AO4474
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Аналог (замена) для AO4474
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AO4474 даташит
ao4474.pdf
AO4474 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4474/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device VDS (V) = 30V is suitable for use as a high side switch in SMPS and ID = 13.4A (VGS = 10V) general purpose applications. RDS(ON)
ao4472.pdf
AO4472 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4472 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30V excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode www.DataSheet4U.com ID = 19A (VGS = 10V) characteristics and ultra-low gate resistance. This device is RDS(ON)
ao4476a.pdf
AO4476A 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4476A combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 15A extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4478.pdf
AO4478 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4478 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge. This ID = 9A (VGS = 10V) device is suitable for use as general puspose, PWM and RDS(ON)
Другие MOSFET... SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , AO3701 , AO4420A , AO4433 , AO4456 , AO4458 , IRF1010E , AO4607 , AO4614 , AO4617 , AO4708 , AO4722 , AO4726 , AO4728 , AO4772 .
History: NTD2955VT4G | WML9N50D1B
History: NTD2955VT4G | WML9N50D1B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080







