Справочник MOSFET. AO4928

 

AO4928 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4928
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4(1.5) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5(7.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24(10) nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.7(3.5) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224(8) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016(0.024) Ohm
   Тип корпуса: SOIC8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4928 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  aosemi
 ao4928.pdf pdf_icon

AO4928

AO4928Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4928 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The two VDS (V) = 30V VDS(V) = 30VMOSFETs make a compact and efficient switch and ID = 9A ID=7.3A (VGS = 10V)synchronous rectifier combination for use in DC-DCRDS(ON)

 9.1. Size:239K  aosemi
 ao4926.pdf pdf_icon

AO4928

AO4926Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4926 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vtwo MOSFETs make a compact and efficient switch ID = 9.5A ID=7.3A (VGS = 10V)and synchronous rectifier combination for use in DC-RDS(ON)

 9.2. Size:239K  aosemi
 ao4922.pdf pdf_icon

AO4928

AO4922Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4922 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vtwo MOSFETs make a compact and efficient switch ID = 9A ID=7.3A (VGS = 10V)and synchronous rectifier combination for use in DC-RDS(ON)

 9.3. Size:256K  aosemi
 ao4924.pdf pdf_icon

AO4928

AO4924Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4924 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vtwo MOSFETs make a compact and efficient switch ID = 9A ID=7.3A (VGS = 10V)and synchronous rectifier combination for use in DC-RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.