Справочник MOSFET. AOB10N60L

 

AOB10N60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB10N60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AOB10N60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB10N60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  aosemi
aob10n60l.pdfpdf_icon

AOB10N60L

AOT10N60/AOB10N60/AOTF10N60600V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT10N60 & AOB10N60 & AOTF10N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 10Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:375K  aosemi
aob10n60.pdfpdf_icon

AOB10N60L

AOT10N60/AOB10N60/AOTF10N60600V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT10N60 & AOB10N60 & AOTF10N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 10Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:253K  inchange semiconductor
aob10n60.pdfpdf_icon

AOB10N60L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB10N60FEATURESDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.75(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 9.1. Size:1139K  aosemi
aob10b65m1.pdfpdf_icon

AOB10N60L

AOT10B65M1/AOB10B65M1TM650V, 10A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 10AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.6VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high

Другие MOSFET... AO8816 , AO8842 , AOD400 , AOD402 , AOD404 , AOD406 , AOD408 , AOD410 , IRFB31N20D , AOB11S60L , AOB11S65L , AOB12N50L , AOB15S60L , AOB15S65L , AOB20S60L , AOB25S65L , AOB270L .

History: IXFN32N100Q3 | IXFK180N25T | KTK5131S

 

 
Back to Top

 


 
.