AOB12N50L - описание и поиск аналогов

 

AOB12N50L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOB12N50L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AOB12N50L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB12N50L даташит

 ..1. Size:257K  aosemi
 aob12n50l.pdf pdf_icon

AOB12N50L

AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50 500V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT12N50 & AOB12N50 & AOTF12N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:435K  aosemi
 aot12n50 aob12n50 aotf12n50.pdf pdf_icon

AOB12N50L

AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50 500V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT12N50 & AOB12N50 & AOTF12N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:434K  aosemi
 aob12n50.pdf pdf_icon

AOB12N50L

AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50 500V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT12N50 & AOB12N50 & AOTF12N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:253K  inchange semiconductor
 aob12n50.pdf pdf_icon

AOB12N50L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB12N50 FEATURES Drain Current I =12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.52 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOD402 , AOD404 , AOD406 , AOD408 , AOD410 , AOB10N60L , AOB11S60L , AOB11S65L , 2N60 , AOB15S60L , AOB15S65L , AOB20S60L , AOB25S65L , AOB270L , AOB27S60L , AOB418 , AOB482 .

History: 2SK4197FG | DMN61D8LQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.