AOWF7S60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOWF7S60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO262F
Аналог (замена) для AOWF7S60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOWF7S60 даташит
aowf7s60.pdf
AOW7S60/AOWF7S60 TM 600V 7A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOW7S60 & AOWF7S60 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 33A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.6 robustness in switching applications. Qg,typ 8.2nC By providing low RDS(on), Qg and EOS
aow7s60 aowf7s60.pdf
AOW7S60/AOWF7S60 TM 600V 7A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOW7S60 & AOWF7S60 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 33A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.6 robustness in switching applications. Qg,typ 8.2nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS
aowf7s65.pdf
AOW7S65/AOWF7S65 TM 650V 7A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 750V The AOW7S65 & AOWF7S65 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 30A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.65 robustness in switching applications. Qg,typ 9.2nC By providing low RDS(on), Qg and EO
aow7s65 aowf7s65.pdf
AOW7S65/AOWF7S65 TM 650V 7A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 750V The AOW7S65 & AOWF7S65 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 30A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.65 robustness in switching applications. Qg,typ 9.2nC By providing low RDS(on), Qg and EO
Другие MOSFET... AOL1420 , AOL1428 , AOL1436 , AOL1444 , AOL1446 , AOL1704 , AOU7S60 , AOWF240 , IRF1404 , AOD414 , AOD4184 , AOD4187 , AOD4191L , AOD420 , AOD448 , AOD454 , AOD456A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor





