Справочник MOSFET. AOD456A

 

AOD456A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOD456A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 472 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AOD456A

 

 

AOD456A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  aosemi
 aod456a.pdf

AOD456A AOD456A

AOD456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD456 uses advanced trench technology and VDS (V) = 25Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 50A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)

 8.1. Size:193K  aosemi
 aod456.pdf

AOD456A AOD456A

AOD456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD456 uses advanced trench technology and VDS (V) = 25Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gateID = 50A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, loadRDS(ON)

 8.2. Size:1361K  cn vbsemi
 aod456.pdf

AOD456A AOD456A

AOD456www.VBsemi.twN-Channel 20-V (D-S)175 _C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 6520200.008 @ VGS = 2.5 V 45DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramet

 8.3. Size:265K  inchange semiconductor
 aod456.pdf

AOD456A AOD456A

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD456FEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 25V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top