IRF840A - описание и поиск аналогов

 

IRF840A - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF840A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF840A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF840A технические параметры

 ..1. Size:185K  international rectifier
irf840apbf.pdfpdf_icon

IRF840A

PD- 94829 SMPS MOSFET IRF840APbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85 8.0A l High speed power switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and S D A

 ..2. Size:199K  international rectifier
irf840a.pdfpdf_icon

IRF840A

PD- 94829 SMPS MOSFET IRF840APbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85 8.0A l High speed power switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and S D A

 ..3. Size:99K  st
irf840a.pdfpdf_icon

IRF840A

IRF840/FI IRF841/FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID IRF840 500 V

 ..4. Size:941K  samsung
irf840a.pdfpdf_icon

IRF840A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.638 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Val

Другие MOSFET... IRF830FI , IRF830S , IRF831 , IRF831FI , IRF832 , IRF833 , IRF840 , 2SK2209-01R , 2N60 , IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 .

 

 
Back to Top

 


 
.