Справочник MOSFET. AOT462

 

AOT462 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT462
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT462

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT462 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  aosemi
aot462.pdfpdf_icon

AOT462

AOT462N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOT462 uses advanced trench technology and VDS (V) = 60Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 70A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in UPS, high RDS(ON)

 0.1. Size:332K  aosemi
aot462l.pdfpdf_icon

AOT462

AOT462L/AOB462L60V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60VThe AOT462L/AOB462L combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 35Aprovide extremely low RDS(ON).This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:259K  inchange semiconductor
aot462l.pdfpdf_icon

AOT462

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT462LFEATURESDrain Current I =35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 18m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

 9.1. Size:182K  aosemi
aot460.pdfpdf_icon

AOT462

AOT460N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOT460/L uses advanced trench technology and VDS (V) = 60Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 85 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in UPS, high RDS(ON)

Другие MOSFET... AOTF298L , AOTF7S60 , AOTF7S60L , AOT400 , AOT402 , AOT426 , AOT428 , AOT42S60L , IRFB3607 , AOT4S60L , AOT7S60L , AOT7S65L , AOT9N40L , AON2880 , AON3406 , AON3408 , AON3702 .

History: TPA65R940C | JCS13AN50BC | SI4401BDY | 2SK321 | ZXMN10A08DN8

 

 
Back to Top

 


 
.