AON6514 - аналоги и даташиты транзистора

 

AON6514 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AON6514
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6514

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6514 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  aosemi
 aon6514.pdf pdf_icon

AON6514

AON651430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:282K  1
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6514

AON651230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:282K  aosemi
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6514

AON651230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:291K  aosemi
 aon6510.pdf pdf_icon

AON6514

AON651030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6206 , AON6408 , AON6410 , AON6414 , AON6414AL , AON6418 , AON6422 , AON6454 , EMB04N03H , AON6534 , AON6542 , AON6702 , AON6704A , AON6708 , AON6710 , AON6712 , AON6716 .

History: IRF7478QPBF | RW1A030AP

 

 
Back to Top

 


 
.