AON6514 - описание и поиск аналогов

 

AON6514. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6514

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6514

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6514 даташит

 ..1. Size:295K  aosemi
 aon6514.pdf pdf_icon

AON6514

AON6514 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:282K  1
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6514

AON6512 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:282K  aosemi
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6514

AON6512 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:291K  aosemi
 aon6510.pdf pdf_icon

AON6514

AON6510 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6206 , AON6408 , AON6410 , AON6414 , AON6414AL , AON6418 , AON6422 , AON6454 , AON7403 , AON6534 , AON6542 , AON6702 , AON6704A , AON6708 , AON6710 , AON6712 , AON6716 .

History: BUK969R0-60E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.