2SK066400L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK066400L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tonⓘ - Время включения: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для 2SK066400L
2SK066400L Datasheet (PDF)
2sk066400l.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal)2SK0664 (2SK664)Silicon N-Channel MOS FETunit: mm0.15+0.100.3+0.10.05For switching 0.03 Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-1 2matic insertion through the tape/magazine packing.(0.65) (0.65)1.30.12.00.210 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol R
2sk0664g0l.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal)2SK0664 (2SK664)Silicon N-Channel MOS FETunit: mm0.15+0.100.3+0.10.05For switching 0.03 Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-1 2matic insertion through the tape/magazine packing.(0.65) (0.65)1.30.12.00.210 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol R
2sk066500l 2sk0665g0l.pdf
Silicon MOSFETs (Small Signal)2SK0665 (2SK665)Silicon N-channel MOSFETUnit: mmFor switching circuits0.15+0.100.3+0.10.050.03 Features High-speed switching Small drive current owing to high input inpedance1 2 High electrostatic breakdown voltage(0.65) (0.65)1.30.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25C2.00.2Parameter Symbol Rating Unit
2sk0601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOSFETs (Small Signal)2SK0601 (2SK601)Silicon N-channel MOSFETUnit: mmFor switching circuits4.50.11.60.2 1.50.1 Features Low drain-souce ON resistance RDS(on) High-speed switching Allowing to be driven directly by CMOS and TTL1 23 Mini-power type package, allowing downsizing of t
2sk0615.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal)2SK0615 (2SK615)Silicon N-Channel MOS FETFor switchingUnit: mm Features Low ON-resistance 2.50.16.90.1(1.0)(1.5) High-speed switching(1.5) Allowing to be driven directly by CMOS and TTLR 0.9 M type package, allowing easy automatic and manual insertion asR 0.7well as stand-alone fixing to the printed circuit board. Absolute Max
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918