IRF9140 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRF9140 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9140 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO3

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRF9140

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRF9140 даташит

..1. Size:148K international rectifier
irf9140.pdf pdf_icon

PD - 93976A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9140 HEXFET TRANSISTORS 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9140 -100V 0.2 -18A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig

9.1. Size:149K international rectifier
2n6804 irf9130.pdf pdf_icon

PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr

9.2. Size:117K njs
irf9150 irf9151.pdf pdf_icon