IRF9140 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRF9140. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF9140
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF9140

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9140 даташит

 ..1. Size:148K  international rectifier
irf9140.pdfpdf_icon

IRF9140

PD - 93976A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9140 HEXFET TRANSISTORS 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9140 -100V 0.2 -18A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig

 9.1. Size:149K  international rectifier
2n6804 irf9130.pdfpdf_icon

IRF9140

PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr

 9.2. Size:117K  njs
irf9150 irf9151.pdfpdf_icon

IRF9140

 9.3. Size:520K  samsung
irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdfpdf_icon

IRF9140

Другие MOSFET... IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 , IRFZ48N , IRF9230 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 .

History: IRF820 | IRF7809 | SI1016X | IRF842 | IRF820A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.