Справочник MOSFET. IRF9140

 

IRF9140 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9140
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 85(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  international rectifier
irf9140.pdfpdf_icon

IRF9140

PD - 93976AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9140HEXFETTRANSISTORS 100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9140 -100V 0.2 -18AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 9.1. Size:149K  international rectifier
2n6804 irf9130.pdfpdf_icon

IRF9140

PD - 90549CIRF9130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6804THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9130 -100V 0.30 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique pr

 9.2. Size:117K  njs
irf9150 irf9151.pdfpdf_icon

IRF9140

 9.3. Size:520K  samsung
irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdfpdf_icon

IRF9140

Другие MOSFET... IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 , RU6888R , IRF9230 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 .

History: SVSP11N65SD2 | IXTT75N15 | FB180SA10 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.