Справочник MOSFET. IRF9140

 

IRF9140 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF9140
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 85(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IRF9140

 

 

IRF9140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  international rectifier
 irf9140.pdf

IRF9140 IRF9140

PD - 93976AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9140HEXFETTRANSISTORS 100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9140 -100V 0.2 -18AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 9.1. Size:149K  international rectifier
 2n6804 irf9130.pdf

IRF9140 IRF9140

PD - 90549CIRF9130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6804THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9130 -100V 0.30 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique pr

 9.2. Size:117K  njs
 irf9150 irf9151.pdf

IRF9140 IRF9140

 9.3. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf

IRF9140 IRF9140

 9.4. Size:520K  samsung
 irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf

IRF9140 IRF9140

 9.5. Size:18K  semelab
 irf9130smd05 irfnj9130.pdf

IRF9140 IRF9140

IRFNJ9130IRF9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET7.54 (0.296)FOR HIREL0.76 (0.030)min.APPLICATIONS3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)1 3VDSS -100VID(cont) -11A2RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max.7.26 (

 9.6. Size:20K  semelab
 irf9130smd.pdf

IRF9140 IRF9140

IRF9130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -8A RDS(on) 0.35FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUI

 9.7. Size:245K  inchange semiconductor
 irf9150.pdf

IRF9140 IRF9140

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9150FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.15100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONBe designed for applications such as switching regulators,switching convertors, motor drivers, relay drivers, and driversfor high power bipolar switching

Другие MOSFET... IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 , IRF730 , IRF9230 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 .

History: 2SK3312 | SQ3410EV

 

 
Back to Top