IRF9140 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF9140
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60(max) nC
Время нарастания (tr): 85(max) ns
Выходная емкость (Cd): 600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO3
IRF9140 Datasheet (PDF)
irf9140.pdf
PD - 93976AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9140HEXFETTRANSISTORS 100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9140 -100V 0.2 -18AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig
2n6804 irf9130.pdf
PD - 90549CIRF9130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6804THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/562]100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9130 -100V 0.30 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique pr
irf9130smd05 irfnj9130.pdf
IRFNJ9130IRF9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET7.54 (0.296)FOR HIREL0.76 (0.030)min.APPLICATIONS3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)1 3VDSS -100VID(cont) -11A2RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max.7.26 (
irf9130smd.pdf
IRF9130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -8A RDS(on) 0.35FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUI
irf9150.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9150FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.15100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONBe designed for applications such as switching regulators,switching convertors, motor drivers, relay drivers, and driversfor high power bipolar switching
Другие MOSFET... IRF840AS , IRF840FI , IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 , 5N50 , IRF9230 , IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 .
