IRF9510S - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRF9510S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRF9510S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.7(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRF9510S

IRF9510S Datasheet (PDF)

..1. Size:176K international rectifier
irf9510s.pdf

..2. Size:1061K international rectifier
irf9510spbf.pdf

PD- 95763IRF9510SPbF Lead-Free06/06/05Document Number: 91073 www.vishay.com1IRF9510SPbFDocument Number: 91073 www.vishay.com2IRF9510SPbFDocument Number: 91073 www.vishay.com3IRF9510SPbFDocument Number: 91073 www.vishay.com4IRF9510SPbFDocument Number: 91073 www.vishay.com5IRF9510SPbFDocument Number: 91073 www.vishay.com6IRF9510SPbFPeak Diode R

..3. Size:197K vishay
irf9510spbf sihf9510s.pdf

IRF9510S, SiHF9510SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 100 Surface MountRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.7 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 2.2 Repetitive Avalanche Rated P-ChannelQgd (nC) 4.1 175 C Operating TemperatureConfi

..4. Size:172K vishay
irf9510s sihf9510s.pdf

7.1. Size:1126K international rectifier
irf9510pbf.pdf

PD- 95410IRF9510PbF Lead-Free06/15/04Document Number: 91072 www.vishay.com1IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com2IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com3IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com4IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com5IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com6IRF9510PbFDocument Number: 91

7.2. Size:171K international rectifier
irf9510.pdf

7.3. Size:197K vishay
irf9510 sihf9510.pdf

IRF9510, SiHF9510Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.7 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.2 Fast SwitchingQgd (nC) 4.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi

7.4. Size:271K vishay
irf9510.pdf

IRF9510www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESS Dynamic dV/dt ratingTO-220AB Repetitive avalanche rated Available P-channelAvailableG 175 C operating temperature Fast switching Ease of parallelingS Simple drive requirementsDG D Material categorization: for definitions of complianceplease see www.vishay.com/doc?99912P

7.5. Size:147K infineon
irf9510 sihf9510.pdf