2SK1717 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK1717

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: TO220IS

Аналог (замена) для 2SK1717

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1717 даташит

 ..1. Size:75K  toshiba
 2sk1717.pdf pdf_icon

2SK1717

 ..2. Size:851K  cn vbsemi
 2sk1717.pdf pdf_icon

2SK1717

2SK1717 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise no

 8.1. Size:33K  1
 2sk1712.pdf pdf_icon

2SK1717

 8.2. Size:191K  toshiba
 2sk1719.pdf pdf_icon

2SK1717

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2190, 2SK2191, 2SK2192, 2SK2193, 2SK2194, 2SK2195, 2SK2197, 2SK17, EMB04N03H, 2SK1719, 2SK1720, 2SK1721, 2SK1722, 2SK1739, 2SK1746, 2SK1748-Z, 2SK1750-Z