Справочник MOSFET. IRF9520N

 

IRF9520N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9520N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRF9520N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9520N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  international rectifier
 irf9520npbf.pdf pdf_icon

IRF9520N

PD - 95411IRF9520NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -100Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.48l P-ChannelGl Fully Avalanche RatedID = -6.8Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-res

 ..2. Size:95K  international rectifier
 irf9520n.pdf pdf_icon

IRF9520N

PD - 91521AIRF9520NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.48 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -6.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 0.1. Size:155K  international rectifier
 irf9520ns.pdf pdf_icon

IRF9520N

PD -91522AIRF9520NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.48 Fast SwitchingG P-ChannelID = -6.8A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve

 0.2. Size:155K  international rectifier
 irf9520nl.pdf pdf_icon

IRF9520N

PD -91522AIRF9520NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.48 Fast SwitchingG P-ChannelID = -6.8A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF9240 , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 , IRF9520 , 2N7002 , IRF9520NL , IRF9520NS , IRF9521 , IRF9522 , IRF9523 , IRF9530 , IRF9530N , APT5015BLC .

 

 
Back to Top

 


 
.