2SK2669 - описание и поиск аналогов

 

2SK2669. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2669

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 2SK2669

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2669 даташит

 ..1. Size:413K  shenzhen
2sk2669.pdfpdf_icon

2SK2669

SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2669 Case TO-220 (Unit mm) ( F5V90HVX2 ) 900V 5A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching power supply

 8.1. Size:385K  toshiba
2sk2661.pdfpdf_icon

2SK2669

2SK2661 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( MOSV) 2SK2661 Chopper Regulator, DC DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain source ON resistance RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode Vth = 2

 8.2. Size:414K  toshiba
2sk2662.pdfpdf_icon

2SK2669

2SK2662 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2662 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V =

 8.3. Size:23K  panasonic
2sk2660.pdfpdf_icon

2SK2669

Power F-MOS FETs 2SK758 2SK2660(Tentative) Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 6.5 0.1 High-speed switching 5.3 0.1 4.35 0.1 High drain-source voltage (VDSS) 3.0 0.1 Applications High-speed switching 1.0 0.1 0.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.1 4.6 0.1 0.05 to 0.15 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 Gate 1 2 3 2 Drain Parameter Symbol Ratin

Другие MOSFET... 2SK1350 , 2SK1351 , 2SK1352 , 2SK1357 , 2SK2664 , 2SK2665 , 2SK2666 , 2SK2667 , K3569 , 2SK2670 , 2SK2672 , 2SK2673 , 2SK2676 , 2SK2677 , 2SK356 , 2SK3570 , 2SK3571 .

History: DMG2301L | 2SK2673 | AFN4172WSS8 | 2SK2957L | SL20N03 | BUZ380 | CS4N60A4R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.