Справочник MOSFET. 2SK2669

 

2SK2669 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2669
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SK2669

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2669 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  shenzhen
2sk2669.pdfpdf_icon

2SK2669

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2669Case : TO-220(Unit : mm)( F5V90HVX2 )900V 5AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching power supply

 8.1. Size:385K  toshiba
2sk2661.pdfpdf_icon

2SK2669

2SK2661 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV) 2SK2661 Chopper Regulator, DCDC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drainsource ON resistance : RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancementmode : Vth = 2

 8.2. Size:414K  toshiba
2sk2662.pdfpdf_icon

2SK2669

2SK2662 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2662 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V =

 8.3. Size:23K  panasonic
2sk2660.pdfpdf_icon

2SK2669

Power F-MOS FETs 2SK7582SK2660(Tentative)Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features6.5 0.1 High-speed switching5.3 0.14.35 0.1 High drain-source voltage (VDSS)3.0 0.1 Applications High-speed switching1.0 0.10.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.14.6 0.1 0.05 to 0.15 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 : Gate1 2 32 : DrainParameter Symbol Ratin

Другие MOSFET... 2SK1350 , 2SK1351 , 2SK1352 , 2SK1357 , 2SK2664 , 2SK2665 , 2SK2666 , 2SK2667 , SPP20N60C3 , 2SK2670 , 2SK2672 , 2SK2673 , 2SK2676 , 2SK2677 , 2SK356 , 2SK3570 , 2SK3571 .

History: SI8499DB | SWT69N65K2F | AOH3106 | 2SJ285 | APT60M75L2LL | STD30PF03L-1

 

 
Back to Top

 


 
.