2SK3571 - описание и поиск аналогов

 

2SK3571. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3571

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK3571

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3571 даташит

 ..1. Size:82K  1
2sk3571 2sk3571-s 2sk3571-z 2sk3571-zk.pdfpdf_icon

2SK3571

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3571 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3571 is N-channel MOS FET device that features a PART NUMBER PACKAGE low on-state resistance and excellent switching characteristics, 2SK3571 TO-220AB designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. 2SK3571-S

 ..2. Size:44K  kexin
2sk3571.pdfpdf_icon

2SK3571

SMD Type MOSFET MOS Field Effect Transistor 2SK3571 TO-263 Unit mm +0.2 4.57-0.2 +0.1 1.27-0.1 Features 4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 =9m MAX. (VGS =10 V, ID =24A) +0.1 0.1max 1.27-0.1 Low gate charge +0.1 0.81-0.1 QG = 21 nC TYP. (VDD =16V, VGS =10V, ID =48A) 2.54 1Gate +0.2 Built-in gate protection diode 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2 2

 ..3. Size:290K  inchange semiconductor
2sk3571.pdfpdf_icon

2SK3571

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3571 FEATURES Drain Current I = 48A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 20V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 0.1. Size:358K  inchange semiconductor
2sk3571-zk.pdfpdf_icon

2SK3571

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3571-ZK FEATURES Drain Current I = 48A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 20V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

Другие MOSFET... 2SK2669 , 2SK2670 , 2SK2672 , 2SK2673 , 2SK2676 , 2SK2677 , 2SK356 , 2SK3570 , 12N60 , 2SK3572 , 2SK3573 , 2SK3573-S , 2SK3573-Z , 2SK3573-ZK , 2SK3574 , 2SK3575 , 2SK3575-S .

History: NCE60H10F | VB3222 | VS6880AT | AP4961GM | 4N60KL-TF1-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.