2SK3572 - описание и поиск аналогов

 

2SK3572. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3572

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK3572

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3572 даташит

 ..1. Size:80K  1
2sk3572 2sk3572-s 2sk3572-z 2sk3572-zk.pdfpdf_icon

2SK3572

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3572 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET ORDERING INFORMATION DESCRIPTION The 2SK3572 is N-channel MOS FET device that features a PART NUMBER PACKAGE low on-state resistance and excellent switching characteristics, 2SK3572 TO-220AB designed for low voltage high current applications such as 2SK3572-S TO-262 DC/DC converter with synchronous

 ..2. Size:45K  kexin
2sk3572.pdfpdf_icon

2SK3572

SMD Type MOSFET MOS Field Effect Transistor 2SK3572 TO-263 Unit mm +0.2 4.57-0.2 +0.1 Features 1.27-0.1 4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 =5.7m MAX. (VGS =10V, ID = 40A) +0.1 0.1max 1.27-0.1 Low gate charge +0.1 0.81-0.1 QG = 32 nC TYP. (VDD =16V, VGS =10V, ID =80A) 2.54 1Gate Built-in gate protection diode +0.2 2.54-0.2 +0.1 +0.2 5.08-0.1 0.4-0.2

 ..3. Size:289K  inchange semiconductor
2sk3572.pdfpdf_icon

2SK3572

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3572 FEATURES Drain Current I = 48A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 20V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 0.1. Size:283K  inchange semiconductor
2sk3572-s.pdfpdf_icon

2SK3572

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3572-S FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 20V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.7m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

Другие MOSFET... 2SK2670 , 2SK2672 , 2SK2673 , 2SK2676 , 2SK2677 , 2SK356 , 2SK3570 , 2SK3571 , 5N65 , 2SK3573 , 2SK3573-S , 2SK3573-Z , 2SK3573-ZK , 2SK3574 , 2SK3575 , 2SK3575-S , 2SK3575-Z .

History: STD13N50DM2AG | SUD50P06-15L-GE3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.