IRF9520NS - описание и поиск аналогов

 

IRF9520NS - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF9520NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF9520NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9520NS технические параметры

 ..1. Size:155K  international rectifier
 irf9520ns.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD -91522A IRF9520NS/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.48 Fast Switching G P-Channel ID = -6.8A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 6.1. Size:160K  international rectifier
 irf9520npbf.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD - 95411 IRF9520NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.48 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID = -6.8A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

 6.2. Size:155K  international rectifier
 irf9520nl.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD -91522A IRF9520NS/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.48 Fast Switching G P-Channel ID = -6.8A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 6.3. Size:95K  international rectifier
 irf9520n.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD - 91521A IRF9520N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.48 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -6.8A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 , IRF9520 , IRF9520N , IRF9520NL , AO4407A , IRF9521 , IRF9522 , IRF9523 , IRF9530 , IRF9530N , APT5015BLC , IRF9530NL , IRF9530NS .

 

 
Back to Top

 


 
.