IRF9520NS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9520NS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9520NS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9520NS даташит

 ..1. Size:155K  international rectifier
 irf9520ns.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD -91522A IRF9520NS/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.48 Fast Switching G P-Channel ID = -6.8A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 6.1. Size:160K  international rectifier
 irf9520npbf.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD - 95411 IRF9520NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.48 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID = -6.8A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

 6.2. Size:155K  international rectifier
 irf9520nl.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD -91522A IRF9520NS/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.48 Fast Switching G P-Channel ID = -6.8A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 6.3. Size:95K  international rectifier
 irf9520n.pdf pdf_icon

IRF9520NS

PD - 91521A IRF9520N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.48 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -6.8A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9510, IRF9510S, IRF9511, IRF9512, IRF9513, IRF9520, IRF9520N, IRF9520NL, AO4407A, IRF9521, IRF9522, IRF9523, IRF9530, IRF9530N, APT5015BLC, IRF9530NL, IRF9530NS