IRF9521 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRF9521 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9521 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRF9521

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRF9521 даташит

..1. Size:76K supertex
irf9521.pdf pdf_icon

8.1. Size:174K international rectifier
irf9520.pdf pdf_icon

8.2. Size:1203K international rectifier
irf9520pbf.pdf pdf_icon

PD- 95412 IRF9520PbF Lead-Free 06/15/04 Document Number 91074 www.vishay.com 1 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 2 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 3 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 4 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 5 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 6 IRF9520PbF Document Number 91

8.3. Size:160K international rectifier
irf9520npbf.pdf pdf_icon

PD - 95411 IRF9520NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.48 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID = -6.8A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res