Справочник MOSFET. 2SK2366-Z

 

2SK2366-Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK2366-Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для 2SK2366-Z

 

 

2SK2366-Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  nec
 2sk2365-z 2sk2366-z.pdf

2SK2366-Z 2SK2366-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2365/2SK2366SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2365, 2SK2365-Z/2SK2366, 2SK2366-Z is N-Channel(in millimeters)MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switchingapplications.10.6 MAX. 4.8 MAX.3.6 0.21.3 0.210.0FEATURES Low On-Resistance2SK2365: RDS(on)

 8.1. Size:86K  nec
 2sk2369 2sk2370.pdf

2SK2366-Z 2SK2366-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2369/2SK2370SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2369/2SK2370 is N-Channel MOS Field Effect Transis-(in millimeters)tor designed for high voltage switching applications. 3.0 0.2FEATURES4.7 MAX.15.7 MAX1.5 Low On-Resistance2SK2369: RDS(on) = 0.35 (VGS = 10 V, ID = 1

 8.2. Size:90K  nec
 2sk2359 2sk2360.pdf

2SK2366-Z 2SK2366-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2359/2SK2360SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel(in millimeters)MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switchingapplications. 10.6 MAX. 4.8 MAX.3.6 0.21.3 0.210.0FEATURES Low On-Resistance42SK2359: RDS(o

 8.3. Size:99K  nec
 2sk2367 2sk2368.pdf

2SK2366-Z 2SK2366-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2367/2SK2368SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2367/2SK2368 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5FEATURES4 Low On-Resistance2SK2367: RDS (on) = 0.5 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)

 8.4. Size:85K  nec
 2sk2361 2sk2362.pdf

2SK2366-Z 2SK2366-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2361/2SK2362SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2361/2SK2362 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.FEATURES 4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5 Low On-Resistance42SK2361: RDS (on) = 0.9 (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top