Справочник MOSFET. 2SK3269

 

2SK3269 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3269
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3269 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  kexin
2sk3269.pdfpdf_icon

2SK3269

SMD Type MOSFETN-Channel Enhacement Mode MOSFET2SK3269TO-263Unit: mm+0.2Features4.57-0.2+0.11.27-0.14.5 V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =12m MAX. (VGS =10V, ID =18 A)+0.10.1max1.27-0.1Low gate chargeQG = 30 nC TYP. (ID =35 A, VDD =16 V, VGS =10 V) +0.10.81-0.12.54Built-in gate protection diode1Gate+0.22.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.

 0.1. Size:941K  kexin
2sk3269-zj.pdfpdf_icon

2SK3269

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK3269-ZJ Features VDS (V) = 100V ID = 25 A (VGS = 10V) RDS(ON) 100m (VGS = 10V)D Low on-resistance, Low Qg High avalanche resistanceGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current ID 25A Puls

 8.1. Size:732K  toshiba
2sk3265.pdfpdf_icon

2SK3269

2SK3265 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK3265 Chopper Regulators DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.72 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 700 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS

 8.2. Size:171K  panasonic
2sk3268.pdfpdf_icon

2SK3269

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Power MOS FETs2SK3268Silicon N-channel power MOS FET Features Package Avalanche energy capability guaranteed Code High-speed switchingU-DL Low ON resistance Ron Pin Name No secondary breakdown1: Gate Low-voltage drive2: Drain High electrostatic energy capability3: Source

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSF5NS70G | AP2306CGN-HF | ELM33404CA | TSM4944DCS | AM90N20-78B | 2SK1626 | RD3H200SN

 

 
Back to Top

 


 
.