APT5015BLC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT5015BLC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 93 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для APT5015BLC
APT5015BLC Datasheet (PDF)
apt5015blc.pdf
APT5015BLC500V 32A 0.150 WTMPOWER MOS VIPower MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltageTO-247N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge isachieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss.Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout,delivers exceptionally fast switching speeds.D Lower G
apt5015bvr.pdf
APT5015BVR500V 32A 0.150POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower
apt5015bvfrg.pdf
APT5015BVFRAPT5015SVFR500V 32A 0.150BVFRPOWER MOS V FREDFETD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVFRalso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
apt5015bvfr.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT5015BVFRFEATURESDrain Current I =32A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.15(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
apt5015bvr.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT5015BVRFEATURESDrain Current I =32A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.15(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Другие MOSFET... IRF9520N , IRF9520NL , IRF9520NS , IRF9521 , IRF9522 , IRF9523 , IRF9530 , IRF9530N , IRF3205 , IRF9530NL , IRF9530NS , IRF9531 , IRF9532 , IRF9533 , IRF9540 , IRF9540N , IRF9540NL .
