Справочник MOSFET. 2SK4065-DL-1E

 

2SK4065-DL-1E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK4065-DL-1E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 460 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SK4065-DL-1E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK4065-DL-1E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  sanyo
2sk4065-dl-1e.pdfpdf_icon

2SK4065-DL-1E

2SK4065Ordering number : ENA0324ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK4065ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=4.6m (typ.) Input capacitance Ciss=12200pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 75

 7.1. Size:258K  sanyo
2sk4065.pdfpdf_icon

2SK4065-DL-1E

Ordering number : ENA0324 2SK4065SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK4065ApplicationsFeatures Ultralow ON-resistance. Load switching applications. Avalanche resistance guarantee.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 75 VGate

 7.2. Size:283K  inchange semiconductor
2sk4065k.pdfpdf_icon

2SK4065-DL-1E

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4065KFEATURESDrain Current : I =100A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

 7.3. Size:357K  inchange semiconductor
2sk4065b.pdfpdf_icon

2SK4065-DL-1E

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4065BFEATURESDrain Current : I =100A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

Другие MOSFET... 2SK4035 , 2SK4047-01S , 2SK4057-S27-AY , 2SK4057-ZK-E1-AY , 2SK4057-ZK-E2-AY , 2SK4058-S27-AY , 2SK4058-ZK-E1-AY , 2SK4058-ZK-E2-AY , 18N50 , 2SK401 , 2SK402 , 2SK403 , 2SK888 , 2SK889 , 2SK890 , 2SK891 , 2SK892 .

 

 
Back to Top

 


 
.