Справочник MOSFET. 2SK2513-Z

 

2SK2513-Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2513-Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SK2513-Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2513-Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  nec
 2sk2513-z.pdf pdf_icon

2SK2513-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2513, 2SK2513-ZSWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2513, 2SK2513-Z is N-Channel MOS Field Effect Tran-(in millimeters)sistor designed for high current switching applications.10.6 MAX. 4.8 MAX.FEATURES3.6 0.21.3 0.210.0 Low On-ResistanceRDS(on)1 = 15 m (VGS = 10 V,

 8.1. Size:119K  1
 2sk2515.pdf pdf_icon

2SK2513-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2515SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2515 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high current switching applications.4.7 MAX.FEATURES15.7 MAX. 3.20.21.5 Super Low On-Resistance4RDS (on)1 = 9 m (VGS = 10 V, ID = 25 A)RDS (on)2 = 14 m

 8.2. Size:114K  1
 2sk2511.pdf pdf_icon

2SK2513-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2511SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2511 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high current switching applications.4.7 MAX.FEATURES15.7 MAX. 3.20.21.5 Super Low On-Resistance4RDS (on)1 = 27 m (VGS = 10 V, ID = 20 A)RDS (on)2 = 40 m

 8.3. Size:81K  1
 2sk2512.pdf pdf_icon

2SK2513-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2512SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2512 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high current switching applications.FEATURES10.00.3 4.50.23.20.2 Low On-Resistance2.70.2RDS (on)1 = 15 m (VGS = 10 V, ID = 23 A)RDS (on)2 = 23 m (V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK1275 , 2SK2411-Z , 2SK2414-Z , 2SK2415-Z , 2SK2475 , 2SK2499-Z , 2SK2503TL , 2SK2504TL , EMB04N03H , 2SK2527-01MR , 2SK2528-01 , 2SK2561-01R , 2SK2562-01R , 2SK3365 , 2SK3365-Z , 2SK3366 , 2SK3366-Z .

History: FQD13N10LTF | HMS10N60K | TPCJ2101

 

 
Back to Top

 


 
.