2SK260H - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2SK260H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK260H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для 2SK260H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

2SK260H даташит

..1. Size:160K hitachi
2sk259h 2sk260h.pdf pdf_icon

8.1. Size:413K toshiba
2sk2607.pdf pdf_icon

2SK2607 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2607 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Moter Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.0 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0

8.2. Size:404K toshiba
2sk2604.pdf pdf_icon

2SK2604 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2604 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.9 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 3.8 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D

8.3. Size:413K toshiba
2sk2608.pdf pdf_icon

2SK2608 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSIII) 2SK2608 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 3.73 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y 2.6 S (typ.) fs = Low leakage current I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D