Справочник MOSFET. IRF9630

 

IRF9630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRF9630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  international rectifier
irf9630.pdfpdf_icon

IRF9630

 ..2. Size:2142K  international rectifier
irf9630pbf.pdfpdf_icon

IRF9630

PD - 94958IRF9630PbF Lead-Free01/29/04Document Number: 91084 www.vishay.com1IRF9630PbFDocument Number: 91084 www.vishay.com2IRF9630PbFDocument Number: 91084 www.vishay.com3IRF9630PbFDocument Number: 91084 www.vishay.com4IRF9630PbFDocument Number: 91084 www.vishay.com5IRF9630PbFDocument Number: 91084 www.vishay.com6IRF9630PbFTO-220AB Package O

 ..3. Size:103K  fairchild semi
irf9630 rf1s9630sm.pdfpdf_icon

IRF9630

IRF9630, RF1S9630SMData Sheet January 20026.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 6.5A, 200VThese are P-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.800field effect transistors. They are advanced power MOSFETs Single Pulse Avalanche Energy Rateddesigned, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown a

Другие MOSFET... IRF9611 , IRF9612 , IRF9613 , IRF9620 , IRF9620S , IRF9621 , IRF9622 , IRF9623 , 2SK3878 , IRF9630S , IRF9631 , IRF9632 , IRF9633 , IRF9640 , IRF9640S , IRF9641 , IRF9642 .

History: IRF510S

 

 
Back to Top

 


 
.