IRF9630 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9630  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9630 даташит

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irf9630.pdf pdf_icon

IRF9630

 ..2. Size:2142K  international rectifier
 irf9630pbf.pdf pdf_icon

IRF9630

PD - 94958 IRF9630PbF Lead-Free 01/29/04 Document Number 91084 www.vishay.com 1 IRF9630PbF Document Number 91084 www.vishay.com 2 IRF9630PbF Document Number 91084 www.vishay.com 3 IRF9630PbF Document Number 91084 www.vishay.com 4 IRF9630PbF Document Number 91084 www.vishay.com 5 IRF9630PbF Document Number 91084 www.vishay.com 6 IRF9630PbF TO-220AB Package O

 ..3. Size:103K  fairchild semi
 irf9630 rf1s9630sm.pdf pdf_icon

IRF9630

IRF9630, RF1S9630SM Data Sheet January 2002 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power Features MOSFETs 6.5A, 200V These are P-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.800 field effect transistors. They are advanced power MOSFETs Single Pulse Avalanche Energy Rated designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown a

 ..4. Size:504K  samsung
 irf9230 irf9231 irf9232 irf9233 irfp9230 irfp9231 irfp9232 irfp9233 irf9630 irf9631 irf9632 irf9633.pdf pdf_icon

IRF9630

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9611, IRF9612, IRF9613, IRF9620, IRF9620S, IRF9621, IRF9622, IRF9623, IRF9540, IRF9630S, IRF9631, IRF9632, IRF9633, IRF9640, IRF9640S, IRF9641, IRF9642